Мы не продаем технику -           мы дарим эмоции!
Санкт Петербург, Литейный проспект, 30
+7 (812) 6029682
  • Шоурумы
  • Услуги
  • Дизайнерам
  • Нестандартные решения
  • О компании
  • Новости
  • Доставка и оплата
  • Контакты
0 товаров

 

Еще в XIX веке появилась необходимость в устройствах, способных значительно увеличивать мощность электрических сигналов, связанная с изобретением телеграфа и радио. В начале 20-го века был изобретен способ преобразования акустического сигнала в электрический, который основывался на способности угольного порошка менять свое электрическое сопротивление под воздействием вибраций. В 1903 году специалисты телефонной компании Bell построили первый телефон, а в 1911 году заработала первая телефонная линия между Нью-Йорком и Чикаго.
Скоро стало понятно, что для передачи информации на большие расстояния электрическим сигналам нужна большая мощность.

Эра усилителей мощности началась уже в 1912 году, когда корпорация Western Electric выпустила первый телефонный усилитель. Это стало возможным благодаря Ли Ди Форесту. В 1906 году он экспериментировал с вакуумным диодом и в результате, с помощью промежуточного электрода, получил способ управлять током, протекающим в лампе.

Ламповые усилители в первой половине XX века получили стремительное развитие. Именно в это время благодаря ламповым усилителям на «большую сцену» вышли электрогитары, появилось много новых музыкальных направлений. Так начался «роман лампы и музыки».

В декабре 1947 года в Лабораториях Белла «родился» транзистор – небольшой твердотельный полупроводниковый элемент. Аналогично ламповому триоду транзистор имел возможность управлять величиной протекающего тока коллектора с помощью небольшого по величине базового тока. Иными словами, транзистор мог использоваться для усиления электрических сигналов.

Точечно-контактный транзистор Бардина и Браттейна представлял собой хрупкое устройство, состоящее из двух близкорасположенных металлических контактов, прижатых к кристаллу германия. Первые транзисторы были крайне несовершенны – имели высокий уровень шума, значительный разброс параметров и низкую надежность. «В первое время работа транзистора была способна измениться, если кто-то хлопнул дверью», – писал руководитель команды разработчиков Джек Мортон в статье журнала "Fortune" за 1953 год.

В отличие от ламп, развитие которых довольно быстро остановилось, транзисторы стремительно совершенствовались. В 1954 году Моррис Таненбаум создал первый кремниевый транзистор, а в 1955 году - кремниевый транзистор с диффузионной базой толщиной в 1 микрон, работающий на частотах свыше 100 МГц. Уже в 1961 году корпорация Fairchild Semiconductor под руководством Роберта Нойса (будущего основателя компании Intel) адаптировала эти кремниевые технологии для создания первых коммерческих интегральных схем.

Современные полупроводниковые элементы также выполнены на основе кремния, обладают отличными характеристиками, незначительно уступающими ламповым триодам. А по эксплуатационным данным - габаритным размерам, массе, надежности и сроку службы - значительно их превосходят.